Fotorezistente

Fotorezistentele sunt componente electronice pasive care isi modifica rezistenta electrica in functie de intensitatea radiatiei luminoase incidente pe suprafata fotosensibila. Cele mai cunoscute fotorezist ente sunt cele realizate din sulfura de cadmiu si cele realizate din selenura de cadmiu. Fotorezistentele din Cd S au o sensibilitate spectrala maxima pentru lungimea de unda de 600nm, iar fotorezistentele din CdSe-pentru lungimea de unda de 720nm. In domeniul radiatiilor infrarosii se utilizeaza fotorezistente din Pb S, Pb Se, In As, In Sb. care insa trebuie racite.

Fotorezistentele se pot utiliza atat in curent continuu cat si in curent alternativ. Rezistenta ohmica a fotorezistentei scade cu cresterea iluminarii.

Coeficientul de modificare a rezistentei cu temperatura este scazut si se micsoreaza cu cresterea iluminarii.

Tipuri constructive de fotorezistente

Timpul de raspuns este de ordinul zecilor si sutelor de milisecunde, si anume aproximativ 10 ms pentru fotorezistentele din Cd Se si 100 ms pentru cele din Cd S. De altfel viteza mica de raspuns reprezinta un dezavantaj al fotorezistentelor.

Parametri cei mai importanti ai fotorezistentelor sunt:

rezistenta de intuneric R_p definita ca rezistenta electrica a fotorezistentei neiluminate;

sensibilitatea specifica definita ca raportul , unde I_L reprezinta curentul prin fotorezistenta atunci cand este alimentata la o tensiune U si iluminata cu fluxul Φ.

Dintre caracteristicile cele mai semnificative se specifica urmatoarele:

- caracteristica curent-tensiune care reprezinta dependeta curentului prin fotorezistenta de tensiunea la borne, luand iluminarea E_v ca parametru;

dependenta rezistentei de iluminare.