|
Politica de confidentialitate |
|
• domnisoara hus • legume • istoria unui galban • metanol • recapitulare • profitul • caract • comentariu liric • radiolocatia • praslea cel voinic si merele da aur | |
Aprindere electronica cu acumulare inductiva | ||||||
|
||||||
Proiectul isi propune realizarea unui montaj electronic care sa inlocuiasca
in parte sistemul de aprindere clasic al automobilului.
Schema electrica clasica a aprinderii:
Ruptorul cu platina prezinta anumite dezavantaje. Prin el circuland un
curent de cca. 5A, in momentul cand platinele sunt foarte apropiate, atat
la inchidere cat mai ales la deschiderea lor, apare un fenomen de
tunelare, o scanteie care in timp duce la topirea suprafetelor contactului
si la sudarea lor. Din punct de vedere electric aceasta tunelare duce la o inchidere
prematura a circuitului electric, la un curent mai mic, lucru ce impiedica
obtinerea unui front abrupt, si deci a unei variatii bruste a tensiunii in secundar,
fapt ce se reflecta in intensitate scazuta a scanteii. k1l1lx Cunoastem curentul maxim ce trece prin bobina de inductie. Acesta are o valoare de 5A. Trebuie sa cautam un tranzistor care sa aiba curentul nominal de colector de valoare mai mare. Alegem tranzistorul de comutatie MJE13007. acesta are Ic=8A. Valoare suficient de mare, care asigura o marja de siguranta suficienta. Valoarea tensiunii colector emitor maxime este de 400V, mai mult decat suficienta, chiar pentru varfurile de tensiune date de circuitul oscilant format din primarul bobinei de inductie si condensatorul C2. Nu este necesara deci montarea unei diode de protectie antiparalel cu tranzistorul. Pentru calculul puterii disipate de catre componentele circuitului trebuie sa avem in vedere factorul de umplere al semnalului de comanda. Acesta este egal cu Ungiul Dwell. Acesta reprezina procentul din timp in care ruptorul sta deschis. Are uzual valoarea de 63%. Tranzistorul este comandat pe restul timpului, deci pentru 37% din timp. Deci componentele ce functioneaza pentru comanda tranzistorului de comutatie vor disipa puterea numai pentru 37% din timp. Acesta se traduce prin un factor de demultiplicare a puterii nominale al componentelor de 37%. La curentul de colector de 5A puterea disipata de tranzistorul de comutatie este de: Aceasta putere este disipata numai pentru perioada in care ruptorul este inchis, deci puterea medie disipata este de: Pm=15W*37%=3.7W Tranzistorul va necesita un radiator de racire. Din foaia de catalog a tranzistorului MJE13007 aflam factorul de amplificate la un curent direct de 5A ca fiind de 10.
Curentul de varf prin circuitul bazei va fi mai mare, condensatorul C1 eliminand caderea de tensiune pe dioda zenner. Puterea instantanee continua disipata de rezistenta R4 este de:
Puterea de varf este disipata pentru o un timp de 1.6ms, fata de perioada
de oscilatie care este de minim 5ms. Deci poate fi usor neglijata.
Pentru siguranta alegem o rezistenta cu puterea nominala de 2W.
Aceasta putere este cu mult mai mica decat puterea nominala a tranzistorului
BD237 care este de 25W. Acesta nu necesita radiator de disipare al caldurii.
Alegem o dioda cu puterea nominala de 1W.
Timpul de descarcare al condensatorului trebuie deci sa fie de 3.7ms.
Alegem o rezistenta de 39 . Curentul de varf va fi de:
Puterea de varf disipata de R5 este de:
Alegem o rezistenta de 0.25w Curentul este mult mai mic deci putem alege un tranzistor de mica putere pentru
T3. Alegem BC 251 cu Ic=100mA. Factorul de amplificare in curent direct
pentru acest tranzistor este de peste 100.
Pentru blocarea sigura a lui T2 curentul prin R3 trebuie sa aiba aceeasi valoare.
Alegem o rezistenta de 0.25W Curentul prin tranzistorul T1 este suma dintre I prin R3 si Ib2 Alegem un tranzistor BC251. Curentul de baza al lui T1 este de: Rezistenta R1 are rolul de a limita curentul prin platina. Alegem un curent de 250mA, suficient de mic pentru a nu mai avaria platina. Rezulta rezistenta R1: Puterea instantanee disipata este de:
Puterea medie continua este de 3W*37%=1.1W. Alegem o rezistenta cu puterea
nominala de 1.5W.
In figura nr. 5 putem observa formle de unda ale semnalelor din colectorul tranzistorului T4 si din baza sa in functie de semnalul de la intrare (ruptor). Se observa supracresterile tensiunii bazei datorate circuitului format din
C1 si Dz. Acestea sunt necesare pentru comutarea rapida a tranzistoului bipolar. |
||||||
|
||||||
|
||||||
Copyright© 2005 - 2025 | Trimite document | Harta site | Adauga in favorite |
|