![]() | |
![]() |
![]() ![]() |
Politica de confidentialitate |
|
![]() | |
• domnisoara hus • legume • istoria unui galban • metanol • recapitulare • profitul • caract • comentariu liric • radiolocatia • praslea cel voinic si merele da aur | |
![]() |
![]() |
||||||
Transistoare | ||||||
![]() |
||||||
|
||||||
Sunt dispozitive semiconductoare care indeplinesc conditiile necesare
AMPLIFICARII UNOR SEMNALE. k3i14ik A) Tranzistoare bipolare cu jonctiune. a) Alcatuirea: - Dintr-un monocristal de germaniu sau siliciu in care
se creeaza prin impurificare trei regiuni despartite prin doua suprafete. Regiunile
de la extremitati au acelasi tip de conductibilitate (p/n) acestea se numesc
Emitor si Colector . Regiune centrala are conductibilitate opusa fata de cele
de la extremitati si se numeste Baza. Pe suprafetele fiecarui regiuni se depune
cate un strat metalic de contact pe care se sudeaza firele de conexiune.
Acest tranzistor are doua jonctiuni. Jonctiunea C este polarizata direct cu o tensiune de ordinul zecimilor de volti iar jonctiunea E este polarizata invers cu o tensiune de ordinul voltilor sau zecilor de volti. B) Functionarea tranzistoarelor in regim normal activ in conexiunea
cu baza comuna. Golurile provenite din E ramase nerecombinate difuzeaza pana in aproprierea jonctiunii C care este polarizata invers. Campul astfel creat favorizeaza trecerea purtatorilor minoritari. In functionarea tranzistorului E genereaza goluri pe care C le strange. B are rolul de contro asupra curentului de C. Pentru a reduce pierderea de goluri in B datorita recombinarilor pe langa o ingustare a latimii B aceasta se dopeaza si cu un numar mic de impuritati decat E si C astfel in B va fi un numar mai mic de electroni din aceasta cauza curentul de electroni majoritari care circula numai prin jonctiunea E are o valoare mult mai mare decat curentul de E. Jonctiunea C polarizata invers este strabatuta atat de golurile provenite din E si ramase nerecombinate in B cat si de curentii de camp dati de purtatorii minoritari generati pe cale termica. ICB0- este un curent rezidual care reprezinta curentul de C si B cand
E este in gol, adica el nu injecteaza purtatori de B IB- „curentul de baza” -; este format din curentul de electroni minoritari ce trec prin jonctiunea E, cu curentul de recombinare (IR) ti curentul de camp al jonctiunii C (ICB0) IB = InB + IR -; ICB0IC- „Curentul de colector” -; este formata de curentul de goluri injectate din E ramase dupa recombinare ti curentul de camp al jonctiunii C IC = Ipe +ICB0 |
||||||
![]() |
||||||
![]() |
||||||
|
||||||
|
||||||
Copyright© 2005 - 2025 | Trimite document | Harta site | Adauga in favorite |
![]() |
|